Тренировка памяти

Компания Silicon Storage Technology (SST) выпустила мультимегабитные микросхемы флэш-памяти с рекордно минимальным на нынешний день временем выборки - всего 55 наносекунд.

Правда, указанное быстродействие достигается только при напряжении питания более 3 В, хотя допустимый диапазон напряжения составляет 2,7-3,6 В. Это неприемлемо для многих портативных устройств, поэтому снижение порога для SST является главным направлением совершенствования чипа. Кстати, Hyundai Electronics недавно тоже заявила о готовности начать выпуск 8-мегабитных микросхем флэш-памяти с временем выборки 55-120 нс, однако максимальное быстродействие достигается только при напряжении 5 В со стабильностью .5%. Ограничение на быстродействие накладывает и большой объем памяти. Так, по данным Semico Research, некоторые микросхемы флэш-памяти объемом 512 Кбит могут показывать быстродействие 35 нс.

Новые микросхемы SST появятся в продаже в июне. Цены на них вполне умеренные: микросхемы емкостью 16 Мбит будут поставляться по 6,75 доллара, 8 Мбит - по 3,6 доллара, 4 Мбит - по 2,8 доллара. При этом предусмотрены две конфигурации: для объединения в блоки либо по 8, либо по 16 микросхем. В настоящий момент на рынке микросхем флэш-памяти после периода стагнации наблюдается оживление. В этом году объем рынка может вырасти с 2,5 до 3 млрд. долларов, из которых около 10 процентов придется на SST.