АНДРЕЙ ФАТКУЛЛИН,
Опубликовано: 17.11.1998
Компания Ball Semiconductor сообщила о создании транзистора на кремниевом шарике диаметром 1 мм.
Полупроводниковый прибор представляет собой транзистор MOSFET (Metall Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) c длиной канала 5 мкм. Его характеристики не отличаются от обычных у транзисторов подобного размера, сделанных по планарной технологии.
Несомненное достижение порадовало инвесторов, вложивших 52 млн. долларов в первый этап развития проекта. По сообщениям Semiconductor Business News, самые крупные акционеры Ball - компании из Юго-Восточной Азии.
Создание рабочего транзистора на поверхности сферы - это шаг к конечной цели: производство микросхем. Президент Ball Акиро Исикава (Akira Ishikawa) внедряет шариковый маршрут изготовления, чтобы удешевить технологию на порядок.
Нынешнее шариковое производство использует шесть фотошаблонов, и уже это настораживает. Для традиционной планарной CMOS-технологии маловато будет. Да и длина канала транзистора подкачала: в двадцать раз больше, чем самая ходовая сегодня - 0,25 мкм. - А.Ф.